728x90 반응형 삼성전자13 시장의 오해일까? 삼성전자와 엔비디아 HBM, HBM3E, TSV, EUV 중간 점검. > 모든 판단과 투자는 본인의 선택하에 본인에게 책임이 있습니다. 본 글은 개인의 공부 및 의견이니 참고만 부탁드립니다. - HBM3 삼성 엔비디아 퇴짜 기사는 사실무근으로 보임. - 삼성 엔비디아 담당자(마케팅)는 어이없어하는 분위기. - 4분기부터는 볼륨 쉽먼트 늘어날 것으로 보임. - 중요한 것은 HBM3E 차세대버전 엔비디아향 물량 연내 출하될 것으로 예상. - HBM3 초기시장 하이닉스에 뺏긴 것은 팩트. - HBM3 납품은 하이닉스에 1년 뒤처짐. - HBM3E 4개월로 격차 줄어들 것으로 예상. 물량은 하이닉스가 많음. - 9월 1일 삼성전자 신제품 발표 ddr5 32gb 모노칩 발표한 것이 의미 있음. - DDR5 32gb 칩은 하이닉스나 마이크론은 아직 못함. - 왜냐하면 만들 때 EUV.. 2023. 10. 12. DRAM 스팟 프리미엄 전환 시작(SK증권 반도체 한동희) ▶️ 4월 고정 가격 하락으로 DRAM 스폿 프리미엄 전환 (8Gb 10~12%, 16Gb 6~7%) ▶️ 다운사이클에서의 스폿 프리미엄 전환과 공급사 재고 하락은 주가의 저점 조건 ▶️ 스폿 프리미엄 전환은 현물 가격의 낙폭 축소와 고정 가격 하락 지속이 견인 ▶️ DRAM 스폿 프리미엄 지속 예상. 최근 1달 DDR4 DRAM 현물 가격 하락률은 4% 수준. 감산에 따른 현물 가격 안정화와 현재프리미엄을 감안하면 디스카운트 전환 가능성 낮음 ▶️ 2Q23 DRAM 출하 증가 시작, 3Q23 공급사 재고 하락 시작 전망, 스폿 프리미엄 지속을 감안하면 주가의 변곡점이 형성될 시점 멀지 않았다고 판단 ▶️ 이후의 현물 가격 반등 사이클에서 메모리에 대한 기댓값은 항상 양수. 조정 시 매수 관점 권고 - .. 2023. 5. 2. AI반도체 성장시 수혜 HBM 관련주.(PIM반도체). 1. 한미반도체. - Buffer 웨이퍼(Logic 등) 위에 DRAM 칩을 적층 공정에서 TC본더. - 하이닉스 독점. - TSV에서 장비 소요량이 가장 큼. ※ TSV(실리콘 관통 전극): 실리콘을 뚫어서 전도성 재료로 채운 전극을 의미하여, 주로 고대역폭(HBM) 반도체에 사용. - TSV: Through Silicon Via. - HBM: High Bandwidth Memory. 2. 테스. - 웨이퍼 밑면을 Grinding으로 제거 이후 Dummy Layer를 CVD로 도포 후 제거하는데, CVD 장비를 제조. - 삼성전자 향. ※ CVD(chemical vapor deposition) : 피복하는 기판상에 원료가스를 흘리고, 외부 에너지를 부여함으로써 원료가스를 분해하여 기상반응으로 박막을 .. 2023. 2. 11. 12월 둘째 주 기업 실적 추정치와 각종 데이터로 보는 다음 주도 섹터. 최근 시장이 큰 변동성 속에 있다. 이러한 변동성이 나타날 때 주도주가 바뀌는 경향이 있기 때문에 기존 주도 섹터의 약세와 시장의 색깔 프레임 변화가 일어나는지 관심을 가질 필요가 있다. '추세의 친구가 되어라'라는 투자 격언이 있듯이 주도 섹터의 상승추세에 동행하는 투자는 우리에게 큰 수익을 안겨주기 때문이다. 이러한 다음 주도 섹터를 고민할 때 참고하면 도움이 될 데이터(자료)가 바로 기업의 실적 추정치 변화이다. 기업의 주가는 기업의 실적 기대치의 함수이기 때문에 실적 추정치는 다른 어떤 데이터보다 중요하다. 오늘은 기업 실적 추정치 변화와 각종 데이터를 기반으로 앞으로 시장을 이끌 섹터에 대해 고민해보자. 12월 둘째 주 기업의 실정 추정치의 변화가 어떻게 됐는지 확인해보자. 12월 둘째 주 기업.. 2021. 12. 11. 이전 1 2 3 4 다음 728x90 반응형
